技术文献、文章以及报告

BEOL Integration for 45 and 32 nm nodes
September 2006

随着中国国际化进程的深入，高科技劳动力短缺问题开始迫在眉睫
奚明 诺发亚洲，中国上海, Solid State Technology，2006年3月

45nm节点低-k电介质和超低-k电介质的整合 多孔电介质
Wilbert G.M. van den Hoek，诺发系统有限公司

对铜互连的有限尺寸效应进行抑制
G.B. Alers，J. Sukamto，S. Park，G. Harm和J. Reid，诺发系统有限公司

用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发
Bhadri Varadarajan，Jim Sims，Akhil Singhal，Mike Christensen，Gengwei Jiang，Kevin Ilcisin*，
Krishnan Shrinivasan，Mohamad Ayoub，Vineet Dharmadhikari和Ming Xi
诺发系统公司PECVD业务部