發展歷史

1984 Brad Mattson创建了美国Novellus系统公司
1985 At the SEMICON West show in San Mateo, Novellus launches the Concept One® CVD (chemical vapor deposition) system.
1986 9月29日，Bob Graham被任命为公司总载/首席执行官
1987 首个在电脑芯片表面创造绝缘层的Concept One 化学气相沉积绝缘工具装运出港。此产品特点为：革命性的产品结构和多站式顺序沉积。每站沉积薄膜七分之一，不但使薄膜之间达到近乎完美的一致性，而且保留批处理系统的较高吞吐量。在半导体生产日益激烈的竞争下，Concept One最适合沉积高品质，对吞吐量有具体要求的薄膜。

在重新定义生产率的过程中，美国Novellus率先采用新设备工业制造，成为首个在洁净室环境下生产化学气相沉积工艺设备的公司，同时进行实际沉积，并将其列为设备最后的测试项目。系统起动时减少了粒子污染，现场维修人员不必在客户的圆晶工厂作最后的调试。
1988 美国Novellus公开上市
1989 第100个Concept One系统装运出港，意味着美国Novellus同样具备了处理新生代化学气相沉积系统的实战能力。
1990 美国Novellus推出了Concept One-W系统用于钨塞的化学气相沉积。系统除具备Concept One平台一贯的优点，如高品质的薄膜、高吞吐量和低成本，经过独特设计还可解决高级电路中使用钨引起的粒子污染问题。其中最值得注意的是专利气体排除法，也叫MOER。此方法可阻止薄膜后方的钨沉积，有力抑制降低吞吐量的粒子的数量。
1991 随着集成电路向多层内连结构发展，美国Novellus推出了Concept Two-一种革命性的新型化学气相沉积平台，实现了连续的生产工艺在单个系统中的整合。Concept Two模块独特的灵活设计使其可根据特定的生产工序进行设定，并具备Concept One MSSD的特点，如：粒子控制、性能控制和工序重复。
1992 350多套Concept One系统进入全球范围的圆晶工厂。
1993 12月4日，Rick Hill成为公司首席执行官。

公司推出针对钨沉积而研制的Concept Two ALTUS 系统，指出一条整合多个工序的途径，如钨沉积前的阻挡层沉积。同时该系统也符合工厂对于下一代超净加工设施的自动化要求。
1994 美国Novellus因产品可靠的性能而闻名，作出了业内首个对消费和预防性维修部件两年的保修承诺，这样顾客将日常部件和维修视为了固定运转费用，而非昂贵的可变费用。公司7月庆祝其第500个化学气相沉积系统装运出港。
1995

美国Novellus推出绝缘化学气相沉积Concept Two SEQUEL系统，结合了Concept One可靠的多站式顺序沉积和处理多层高级薄膜的能力。此种新产品成为业内首创的每小时可吞吐超过100个绝缘薄膜的产品，是存储器的核心技术。


推出SPEED系统-第一个高密度等离子（HDP）化学气相沉积电解槽，用于 0.35微米及以下的金属层间绝缘层。SPEED系统的专利半球等离子源在大深宽比器件的高品质绝缘薄膜层之间可进行高效和均匀无孔的填充。
1996 SPPED系统在新兴的高密度等离子化学气相沉积工艺市场中占有75%的份额，预定量已超过1亿美元。美国Novellus在财富杂志年度百强企业中排名19。
1997

美国Novellus 通过收购Varian Associates的薄膜产品分支进入了阻隔沉积的物理气相沉积金属化市场。这次收购也使Novellus在尺寸0.25um及以下高级器件的技术冲击到来之前处于领先地位。


美国Novellus公司在年度SEMICON West展览会上提到镶嵌工艺并表达了对未来的设想，即Novellus产品和制造工序整合后市场会转向铜导线双嵌入式工艺。

300mm圆晶表面绝缘体和钨化学气相沉积产品Concept 3平台上市。

截止目前，超过2000套化学气相沉积和物理气相沉积系统已进入世界范围的圆晶工厂。
1998

4月，美国Novellus推出新一代针对0.18微米及以下器件设计的INOVA PVD 平台。该产品结合了专利中空磁控管，运用了物理气相沉积金属化技术，性能可靠，可达到最高级器件的生产目标。

6月，公司首次展示了镶嵌 Complete Copper产品。该产品经过精心设计包括一套完整的器件和工序，实现了集成电路技术前端的高级铜质内连结构。

镶嵌工艺的核心——涉及到处于行业领先地位的化学气相沉积、物理气相沉积、蚀刻、化学机械研磨和清洁技术以及该领域的伙伴联盟，Lam Research 和SpeedFam-IPEC——革命性的新沉积系统，也叫SABRE。SABRE系统使铜electrofill电化沉积产品具有极细的宽度和大深宽比集成电路结构。随着可靠高效的SABRE工具的诞生，铜electrofill电化沉积产品从实验室走出来，广泛应用于生产。

美国Novellus在7月的SEMICON West展览会上宣布将与IBM签定一份许可协议，使其能够在新的SABRE系统中运用IBM的铜电镀技术。此协议是两公司继两年共同发展计划之后的又一次合作，旨在制造大批量生产所需的电镀设备。

4月初，IBM宣布使用SABRE系统制造出了第一批运用铜的微处理器。

1999 4月，Novellus公司推出第二代适用于大批量生产的优化铜electrofill工具——SABRE xT系统，尺寸为200/300mm，特点表现为变动的电波形和填充0.10 um规格以下的先进几何工艺。

随后6月又推出了CORAL家族产品。low-k绝缘薄膜在SEQUEL Express 平台上进行沉积，并进行了0.10um铜导线双嵌入式工艺优化。随着Novellus深入市场，化学气相沉积工艺被定位为更可取的的low-k薄膜沉积方法。

年底，10大半导体制造商中有8个选用了SABRE系统的铜试生产作业线和生产线。
2000 4月，美国Novellus公司成首个半导体基础设备工业领域通过ISO14001认证的公司。同月，SABRE 和SABRE xT1系统创造了1百万圆晶的纪录。

5月，公司列入标准普尔500指数行列。

6月，美国Novellus在SEMICON West展览会上推出了VECTOR PECVD 系统。针对镶嵌工艺中的薄膜沉积精心设计，包括化学气相沉积low-k薄膜，该系统具备业内同类系统两倍的生产率，三分之二的覆盖区，三分之一数量的必要组件，而价格只相当于200mm的价格。

10月，美国Novellus宣布与Gasonics国际公司签定收购协议，第一次进入沉积市场范围之外的加工领域。

11月，公司总收入超过10亿美元，创造了新的里程碑。
2001 1月停止收购Gasonics。

5月获得数个重要奖项。美国Novellus是唯一荣获韩国三星电子公司2000年度最佳供应商奖的海外公司，同时荣获英特尔公司 2000年度供应商质量进步（SCQI） 奖，成为沉积设备领域唯一获此殊荣的供应商。

6月27日在印度Bangalore设立第一家办事处作为软件开发中心。

内部组织结构发生变动。5月，Peter Hanley被任命为公司的总裁并入驻首席执行官办公室，Bob Havemann被从美国德州仪器公司招入担任研发副总裁一职。随后，David Williams离开朗讯科技加入美国Novellus任主管生产的副总裁。
2002 1月，公司新任财务总监Kevin Royal上任。

其后两月间先后荣获英特尔公司最佳品质供应商奖和美国德州仪器公司2001年度优秀供应商奖。

5月，美国Novellus扩充了工程和生产用甚础设施，位于Tualatin和俄勒冈州的新设备全面投入使用。“铜厂区”占地38万2千平方英尺，规划生产镀铜和嵌入式绝缘沉积工具。

同月，美国Novellus第100个SABRE Electrofill 系统工具装运出货至TSMC，印证了其在电化沉积市场的统治地位，加大了与有力竞争对手的领先优势。SABRE系统目前已加工出全球超过2千万的晶片。

7月在SEMICON West 展览会上推出GAMMA™ 2130光刻胶消除系统和SIERRA™ 先进干燥清洁系统。两款300mm表面处理工具比现在市场上同类产品，在拥有成本、生产率和可靠性方面有极大改进，可延伸运用至65纳米节点。

8月， 美国Novellus在一次股票交易中宣布收购SpeedFam-IPEC的意图。此次收购使美国Novellus得以进入化学机械研磨系统市场，帮助其进一步巩固其在铜镶嵌工艺连接技术上的领先地位。


2003 两位业内资深名人本年加入美国Novellus公司。3月，英特尔公司铜 /low-k领域著名的 Chien Chiang博士受雇成为美国Novellus新一任的研发副总裁。 Tom St. Dennis， 美国Wind River系统公司的前任总裁，7月上任成为Novellus主管全球营销和服务的执行副总裁。

10月，美国Novellus在上海复旦大学举办了复旦-Novellus内连技术中心落成签约仪式，学校官员和当地名流悉数到场。美国Novellus向学校赠送了4套200mm系统，包括Concept One 绝缘工具，SABRE，INOVA和 MOMENTUM用于学校的基础研究和应用学习，且更加奠定了复旦大学作为中国高新技术产业微电子研究中心的成功地位。

美国Novellus在SEMICON日本展览会上推出了最新的SABRE系统-SABRE NexT （纳米时代可延伸技术）。系统针针对90纳米以下填充所面临的挑战性难题作了一系列改进，例如单级化学处理和全新的阳极电池设计。Sony公司成为首个订购了SABRE NexT产品用于45纳米开发的公司。

Novellus公司700余名现场维修工程师为全球5900套Novellus系统提供技术支持。
2004

1月，资深Sass Somekh博士加入美国Novellus公司任职公司总裁，目前担任主管应用材料的执行副总裁一职，其在半导体设备产品开发领域有丰富的经验和卓著的成就。

4月11日，公司庆祝其成立20周年。

此后两月间进行了两次收购。首先收购了Angstron系统公司，该公司的原子层沉积技术将NovellusINOVA系统延伸至45纳米，然后收购了有200年历史生产工业抛光设备的德国Peter Wolters公司，第一次使Novellus涉足半导体固定设备市场之外的产品。

7月，美国Novellus制造的300mm copper CMP XCEDA系统面市。12月，公司推出了ALTUS DirectFill氮化钨沉积系统，该系统为公司开创了新的市场机会。

第250个 VECTOR 系统和第100个 ALTUSPNL 模块装运出港。
2005 2005 is notable for the introduction of two new products, one evolutionary and the other revolutionary

At SEMICON West in July, the company launches the INOVA NexT, a next-generation PVD system. In the INOVA NexT, the system's Hollow Cathode Magnetron (HCM) PVD source has been extended to the 45-nm process node, and a new ion-induced atomic layer deposition (iALD™) module has been integrated onto the platform for depositing tantalum nitride barrier films in narrow line widths below 45-nm.

In December, the company introduces SOLA™, the industry's first production-ready standalone ultra-violet thermal processing (UVTP) system for sub-90 nm dielectrics. A key enabler for a variety of advanced film applications, including transistor-level high stress nitrides (HSN) and interconnect-level low-k dielectrics, SOLA uses a combination of UV light and heat to modify the properties of deposited dielectric films, creating higher stress levels in the case of HSN films and mechanically strengthening low-k dielectrics through the removal of porogens.